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      Marca original MOSFET Transistores IRF540N Componentes electrónicos IR2103STRPBF

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      Shenzhen Ruised Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IR2103STRPBF
      Tipo
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      Marca
      Quality
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Through Hole
      Descripción
      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      8-SOIC
      Tipo
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      Temperatura de funcionamiento
      -40°C ~ 150°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ)
      Serie
      IR2103
      d/c
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      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
      品名
      IC IR2103STRPBF
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      1200 V
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      160 A
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      160 A
      Corriente de colector de corte (Max)
      2.3V @ 15V, 40A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      454 W
      Poder-Max
      1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      60 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      60A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      4.5V, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      9.9mOhm @ 12A, 10V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      2.7V @ 250uA
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      14.5 nC @ 10 V
      Frecuencia
      ±20V
      Corriente nominal (en amperios)
      1150 pF @ 30 V
      Potencia de salida
      110W (Tc)
      Aplicaciones
      other
      Shipment
      FedEx/DHL/UPS/EMS/Aramex/Post Air Mail
      Payment
      PayPal/TT/WU/TA
      BOM
      Yes
      Email
      Jenny@ ruised.com
      Lead Time
      1-3 working days
      Condition
      Original 100%
      Brand
      original brand
      MOQ
      5pcs
      Unit Price
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      Quality
      High quality

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