Barra láser de diodo de alta potencia 808nm 100 vatios para microcanal

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Jlight Semiconductor Technology Co., Ltd.2 yrs

CN

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

Jilin, China

Marca

J light

Número de Modelo

808nm

Tipo

Epitaxial de oblea

Longitud de onda de centro

808nm

Potencia de salida

50W 100W 200W

Modo de operación

QCW/CW

Anchura del emisor

130 μm

Emisor de tono

500 μm

Anchura de la barra

10000 μm

Longitud de la cavidad

1000 μm

Espesor de la barra

135μm

Umbral actual

7 A

Corriente de funcionamiento

49A

Embalaje y entrega

Paquete

Caja de cartón

Puerto

dalian tianjin

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

25X10X25 cm

Peso bruto único:

1.000 kg

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 2000	> 2000
Hora del Est.(días)	15	Para negociar

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