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      Buena calidad MMBT2222A,215 Single Transistors Bipolar (BJT) Transistor Automotive TO-236AB

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      MMBT2222A 215
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      original brand
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB
      Lugar del origen
      original
      PAQUETE/cubierta
      TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
      Tipo
      NPN
      Temperatura de funcionamiento
      150 °C (TJ)
      Serie
      Original
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Automoción
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      MMBT2222A T/R
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      600 mA
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      40 V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      1V @ 50mA 500mA
      Corriente de colector de corte (Max)
      10nA (ICBO)
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      100 @ 150mA 10V
      Poder-Max
      250 mW
      -Frecuencia de transición
      300MHz
      Temperatura de funcionamiento
      150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Igual que el original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar original
      FET tipo
      NPN
      FET característica
      Igual que el original
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar original
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Igual que el original
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Igual que el original
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar original
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Igual que el original
      Frecuencia
      Estándar original
      Corriente nominal (en amperios)
      Igual que el original
      Ruido
      Estándar original
      Potencia de salida
      Igual que el original
      -Tensión nominal
      Estándar original
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Igual que el original
      Vgs (Max)
      Estándar original
      Tipo IGBT de
      Igual que el original
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Igual que el original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar original
      De entrada
      Igual que el original
      Termistor NTC
      Estándar original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Igual que el original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar original
      Corriente de drenaje (Id).
      Igual que el original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar original
      Resistencia-On (RDS)
      Igual que el original
      Tensión
      Estándar original
      Tensión de salida-salida
      Igual que el original
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar original
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Igual que el original
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar original
      Corriente de pico
      Igual que el original
      Aplicaciones
      Automoción
      Tipo de Transistor
      NPN
      SPQ
      3K/carrete
      Calificación:
      AEC-Q101
      Voltaje VCBO DE LA Colector-Base:
      75 V
      Emisor-Voltaje base VEBO:
      6 V
      Tecnología:
      Si
      Peso de unidad:
      0,002046 oz
      Número de elementos por chip
      1
      PCB cambiado
      3
      Recuento de Pin
      3
      Forma de plomo
      Ala de gaviota

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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