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      Transistor bipolar prepolarizado UMG5NTR 2 NPN prepolarizado 50V 100mA 250MHz 150mW Montaje en superficie

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      UMG5NTR
      Tipo
      Transistor Bipolar
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      5-TSSOP y SC-70-5 y SOT-353

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      TRANS 2NPN PREBIAS 0,15 W UMT5
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      5-TSSOP y SC-70-5 y SOT-353
      Tipo
      2 NPN-Pre-Sesgo (Dual)
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar original
      Serie
      Original
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      UMG5NCT
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistor bipolar
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      100mA
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      50V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Original
      Corriente de colector de corte (Max)
      500nA
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      68 @ 5mA,5V
      Poder-Max
      150mW
      -Frecuencia de transición
      Original
      Temperatura de funcionamiento
      Original
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      10kOhm
      Resistencia-emisor Base (R2)
      47kOhm
      FET tipo
      Original
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Original
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Original
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Original
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Original
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Original
      Frecuencia
      250MHz
      Corriente nominal (en amperios)
      Original
      Ruido
      Original
      Potencia de salida
      150mW
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Original
      Vgs (Max)
      Original
      Tipo IGBT de
      Original
      Configuración
      Original
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Original
      De entrada
      Original
      Termistor NTC
      Original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Original
      Corriente de drenaje (Id).
      Original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Original
      Resistencia-On (RDS)
      Original
      Tensión
      Original
      Tensión de salida-salida
      Original
      -Tensión Offset (Vt)
      Original
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Original
      Corriente de Valle Iv)
      Original
      Corriente de pico
      Original
      Aplicaciones
      Propósito general
      Tipo de Transistor
      2 NPN-Pre-Sesgo (Dual)
      Estado de la pieza
      Activo
      Paquete del dispositivo del proveedor
      UMT5
      Número de producto base
      UMG5
      Estado de RoHS
      ROHS3 obediente
      Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
      1 (Ilimitado)
      Estilo de montaje
      SMD/SMT
      Configuración
      Emisor común dual
      Colector DC/Ganancia Base HFE Min
      68 (68)
      Tensión Colector-Emisor VCEO Max
      50 V
      Paquete estándar
      3000PCS/carrete

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 3000 > 3000
      Hora del Est.(días)15Para negociar
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