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      Transistores MOSFET BSG0811NDATMA1 Mosfet Array 25V 19A, 41A 2,5 W Transistor de montaje en superficie a la luz del día

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      BSG0811NDATMA1
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      8-PowerTDFN

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      8-PowerTDFN
      Tipo
      Canal N
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      OptiMOS
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistor
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Original
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Original
      Poder-Max
      2,5 W
      -Frecuencia de transición
      Original
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Original
      FET tipo
      MOSFET
      FET característica
      Original
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      25V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      19A, 41A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      3mOhm @ 20A 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      8.4nC @ 4,5 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      1100pF @ 12V
      Frecuencia
      Original
      Corriente nominal (en amperios)
      Original
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      2,5 W
      -Tensión nominal
      Original
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Original
      Vgs (Max)
      2V @ 250uA
      Tipo IGBT de
      Original
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Original
      De entrada
      Original
      Termistor NTC
      Original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Original
      Tensión
      Original
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Original
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Original
      Aplicaciones
      Propósito general
      Tipo de Transistor
      2 N-canal (doble) asimétrico
      Estado de la pieza
      Activo
      Tecnología
      MOSFET (óxido de metal)
      Configuración
      2 N-canal (doble) asimétrico
      Característica FET
      Puerta de nivel lógico, unidad 4,5 V
      Corriente-Drenaje continuo (Id) @ 25 °C
      19A, 41A
      Rds en (Max) @ Id, Vgs
      3mOhm @ 20A, 10V
      Recuento de Pin
      8
      Paquete estándar
      5000PCS/carrete
      Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
      1 (Ilimitado)
      Estado de RoHS
      ROHS3 obediente

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 5000 > 5000
      Hora del Est.(días)15Para negociar
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