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Semiconductores de potencia LED MOSFET SiC de 1200V, 80mohm, fabricación de semiconductores de potencia de V, MOSFET

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JMJ KOREA CO.,LTD1 yrKR
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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen
South Korea
Marca
JMJKorea
Número de Modelo
JS1R080M12SF-T4
Tipo
Circuito integrado
VDS = 1200V , ID = 26A , RDSON = 77
Conmutación de alta velocidad
Diodo confiable del cuerpo
Menor capacitancia
Mayor eficiencia del sistema
Menor impedancia térmica
Qg más bajo
Fácil de paralelo
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