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SY CHIPS IPD50P03P4L11 Semiconductores originales en stock Transistores MOSFET IPD50P03P4L11ATMA1 DE LA IPD50P03P4L-11TO-252-3
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Atributos clave
Otros atributos
Lugar del origen
Original
Marca
Original
Número de Modelo
IPD50P03P4L11ATMA1
Polaridad del transistor
Canal P
Número de canales
1 canal
Vds-Voltaje de ruptura de drenaje-fuente
30 V
Id-Corriente de drenaje continuo
50 A
Vgs th-Puerta-Tensión de umbral de fuente
2 V
RDS Resistencia en la fuente de drenaje
10.5mOhms
Qg-Carga de la puerta
NC 42
Vgs-puerta-voltaje de la fuente
-16 V, + 5 V
Pd-Disipación de energía
58 W
Embalaje y entrega
Paquete
Reel/cut tape
Puerto
ShenZhen
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
10X10X10 cm
Peso bruto único:
0.500 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 100 | > 100 |
| Hora del Est.(días) | 10 | Para negociar |
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