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      STD7NM60N Transistores FET MOSFET de potencia (óxido de metal) Fets individuales 1 canal N 600 V 5A (Tc) 45W (Tc) 0,84 Ohm Montaje en superficie DPAK

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      STD7NM60N
      Tipo
      Transistores
      Marca
      original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      N-CH MOSFET 600V 5A DPAK
      Lugar del origen
      original
      PAQUETE/cubierta
      TO-252-3 DPak (2 Leads + Tab) SC-63
      Tipo
      Canal N
      Temperatura de funcionamiento
      150 °C (TJ)
      Serie
      Mdmesh II
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      497-11042-1
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
      品名
      Transistores FETs
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Igual que el original
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar original
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Igual que el original
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar original
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Igual que el original
      Poder-Max
      Estándar original
      -Frecuencia de transición
      Igual que el original
      Temperatura de funcionamiento
      150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Igual que el original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar original
      FET tipo
      Canal N
      FET característica
      Igual que el original
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      600 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      5A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      900mOhm @ 2.5A 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      14 nC @ 10 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      363 pF @ 50 V
      Frecuencia
      Igual que el original
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar original
      Ruido
      Igual que el original
      Potencia de salida
      45W (Tc)
      -Tensión nominal
      Estándar original
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Igual que el original
      Vgs (Max)
      ± 25V
      Tipo IGBT de
      Estándar original
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Igual que el original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar original
      De entrada
      Igual que el original
      Termistor NTC
      Estándar original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Igual que el original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar original
      Corriente de drenaje (Id).
      Igual que el original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar original
      Resistencia-On (RDS)
      Igual que el original
      Tensión
      Estándar original
      Tensión de salida-salida
      Igual que el original
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar original
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Igual que el original
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar original
      Corriente de pico
      Igual que el original
      Aplicaciones
      Propósito general
      Tipo de Transistor
      Canal N
      SPQ
      2,5 K/R
      Número de canales:
      1 canal
      Tecnología:
      Si
      Peso de unidad:
      0,011640 oz
      PCB cambiado
      2
      Recuento de Pin
      3
      Forma de plomo
      Ala de gaviota
      Modo de canal
      Mejora
      Estado de REACH
      REACH no afectado
      ECCN
      EAR99

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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