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      MOSFET marca SL, 600V, 8A, SVF8N60F, 1, 2, 1, 2, 3, 1, 2, 1, 2, 1, 1, 2

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      Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      SVF8N60F
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      silan
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      --
      Descripción
      N-CH 600V 8A MOSFET
      Lugar del origen
      China
      PAQUETE/cubierta
      TO-220F
      Tipo
      --
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ + 150 °C
      Serie
      --
      d/c
      2023 +
      Uso
      Controlador MOSFET
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      N-CH 600V 8A MOSFET
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      --
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      --
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      --
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      --
      Resistencia-emisor Base (R2)
      --
      FET característica
      --
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      600V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      8a
      Rds (Max) @ Id Vgs
      --
      Vgs (th) (Max) @ Id
      --
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      --
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      --
      Frecuencia
      --
      Corriente nominal (en amperios)
      --
      Ruido
      --
      Potencia de salida
      --
      -Tensión nominal
      --
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      --
      Vgs (Max)
      --
      Tipo IGBT de
      --
      Configuración
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      --
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      --
      De entrada
      --
      Termistor NTC
      --
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      --
      Corriente de drenaje (Id).
      --
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      --
      Resistencia-On (RDS)
      --
      Tensión
      --
      Tensión de salida-salida
      --
      -Tensión Offset (Vt)
      --
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      --
      Corriente de Valle Iv)
      --
      Corriente de pico
      --
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      Tipo de Transistor
      --

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