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      RF Transistor de potencia de alta frecuencia tubo MRF151G

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      Shenzhen Palmary Technology Co., Ltd.11 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      MRF151G
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Lugar del origen
      California, United States
      PAQUETE/cubierta
      /
      d/c
      21+
      Uso
      Amplificador
      Tipo de Proveedor
      Other
      Referencia cruzada
      /
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      RF
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      /
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      //
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      /
      Corriente de colector de corte (Max)
      /
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      /
      Poder-Max
      /
      -Frecuencia de transición
      /
      Temperatura de funcionamiento
      /
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      /
      Resistencia-emisor Base (R2)
      /
      FET tipo
      /
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      /
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      /
      Rds (Max) @ Id Vgs
      /
      Vgs (th) (Max) @ Id
      /
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      /
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      /
      Frecuencia
      /
      Corriente nominal (en amperios)
      /
      Ruido
      /
      Potencia de salida
      /
      -Tensión nominal
      /
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      /
      Vgs (Max)
      /
      Tipo IGBT de
      /
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      /
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      /
      De entrada
      /
      Termistor NTC
      /
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      /
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Corriente de drenaje (Id).
      /
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      /
      Resistencia-On (RDS)
      /
      Tensión
      /
      Tensión de salida-salida
      /
      -Tensión Offset (Vt)
      /
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      /
      Corriente de Valle Iv)
      /
      Corriente de pico
      /
      Aplicaciones
      /
      product name
      RF Power Transistor
      Description
      MRF151G
      Date Code
      2013
      Lead Free Status
      RoHS Compliant / Lead free
      Datasheet
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      New part Substitutes
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      Shipping by
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      Distributor
      Shenzhen Palmary Technology Co.,Ltd

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      New and Origina factory sealed packing it will be pack in one of these packing type: Tube Tray Tape and Reel Tape and Box Bulk packing Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
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