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      MOSFET IGBT SGT60N60FD1PN original, 600V, 60A, 1, 2, 1, 2, 1, 2, 2, 1, 2

      5.0(1 review)      1323 vendido(s)
      Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      SGT60N60FD1PN
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      -
      Descripción
      IGBT MOSFET
      Lugar del origen
      Germany
      PAQUETE/cubierta
      TO-3P
      Tipo
      -
      Serie
      -
      d/c
      2023+
      Uso
      Controlador MOSFET
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      mosfet IGBT 600V 60A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C~150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      600V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      60A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      --
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
      Tipo de Transistor
      -

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      Un solo artículo
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      0.010 kg
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