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      Infineon-transistores originales, transistores IHW20N120R3 a-247, IGBT, H20R1203

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      Shenzhen Boruijintong Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IHW20N120R3
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      -
      Descripción
      -
      Lugar del origen
      China
      PAQUETE/cubierta
      /
      Serie
      -
      d/c
      22 +
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      H20R1203
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Temperatura de funcionamiento
      150 °C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id Vgs
      --
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      --
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      /
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      --
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
      Tipo de Transistor
      -
      Categoría
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      Garantía
      1 año
      Tiempo de plomo
      1-3 días
      Embalaje
      Carretes, tubos, cintas cortadas, bandejas, bolsas
      Descripción
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      Número del producto del fabricante
      IHW20N120R3

      Embalaje y entrega

      Paquete
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      Puerto
      shenzhen
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      15X15X15 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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