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      Nuevos transistores FGH40N60SFD TO-247-3 (IGBT individuales) Componentes electrónicos

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      Shenzhen Jealon Micro Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      FGH40N60SFD
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      New Original Brand
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      Buena calidad
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      TO-247-3
      Tipo
      Transistores
      Temperatura de funcionamiento
      -
      Serie
      -
      d/c
      2023 +
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Otros
      Referencia cruzada
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      Los medios disponibles
      Contacte con nosotros
      品名
      Transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      Todos
      Tipo de Transistor
      IGBTs
      Nombre del producto
      MOSFET
      Plazo de pago
      Western Union, T/T, Paypal
      Servicio
      One Stop Service para la lista BOM
      Garantía
      365 días
      Envío POR
      Poste de DHL/Fedex/TNT/China
      Ficha de datos
      Liane (una t)sinoskyelectronic.com)
      Calidad
      100% original 100% marca
      Estado libre de plomo
      Sin plomo PB
      Embalaje
      Tubo/bandeja/cinta/carrete/bolso/caja
      Proveedor
      Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Sinosky.

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      10X10X5 cm
      Peso bruto único:
      0.050 kg
      Mostrar más

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      Cantidad (piezas)1 - 5000 > 5000
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