Todas las categorías
Selecciones destacadas
    Trade Assurance
    Central de compradores
    Centro de ayuda
      Obtener la aplicación
      Convertirse en un proveedor

      EW-carrete original, 3205Pleclecleclectronic omomower ower ranranranransistores N-hanhanran3205 I333205PBF 3

      No hay reseñas aún
      Shenzhen Yuetaijia Electronics Co., Ltd.2 yrsCN
      Pasa el mouse por encima para acercar

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRF3205PBF
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      standard
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Descripción
      Transistores MOSFET de potencia
      Lugar del origen
      standard
      PAQUETE/cubierta
      -
      Serie
      IRF3205
      d/c
      Nuevo +
      Uso
      -
      Tipo de Proveedor
      Minorista, Otros
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Transistores MOSFET de potencia
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      Tipo de Montaje
      -
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      55 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      110A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      8mOhm @ 62A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      146 nC @ 10 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      3247 pF @ 25 V
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      200W (Tc)
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      Amplificador de potencia de RF MRF6VP11KH

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Decisiones de comunicación basadas en los requisitos del cliente
      Puerto
      ShenZhen
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 100101 - 1000010001 - 100000 > 100000
      Hora del Est.(días)31030Para negociar

      Personalizacion

      Logotipo personalizado
      Pedido mínimo: 50000
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

      Descripciones de productos del proveedor

      >= 1 piezas
      EUR 0.0936

      Variaciones

      Opciones totales:
      Seleccionar ahora

      Envío

      Las soluciones de envío para la cantidad seleccionada no están disponibles actualmente

      Beneficios de la membresía

      Reembolsos rápidos en pedidos de menos de 1000 USDVer más

      Protecciones para este producto

      Pagos seguros

      Cada pago que realices en Alibaba.com está protegido con un estricto cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

      Política de reembolso

      Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, falta o llega con problemas con el producto
      Alibaba.com protege todos tus pedidos realizados y pagados en la plataforma con