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      Shenzhen Yuetaijia Electronics Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      BLW77
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      standard
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Descripción
      Transistor de poder del RF del silicio de NPN
      Lugar del origen
      standard
      PAQUETE/cubierta
      -
      Serie
      BLW77
      d/c
      Nuevo +
      Uso
      -
      Tipo de Proveedor
      Minorista, Otros
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Transistor de poder del RF del silicio de NPN
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -
      Tipo de Montaje
      -
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
      Tipo de transistor
      Poder bipolar
      Tecnología
      Si
      Polaridad del transistor
      NPN
      Frecuencia de funcionamiento
      28 MHz
      Colector DC/Ganancia Base HFE Min
      15
      Tensión Colector-Emisor VCEO Max
      35 V
      Emisor-Voltaje base VEBO
      3 V
      Corriente continua del colector
      12 A
      Temperatura de funcionamiento
      -65 C ~ + 200 C
      Pd-Disipación de potencia
      245 W

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Decisiones de comunicación basadas en los requisitos del cliente
      Puerto
      ShenZhen
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 100101 - 1000010001 - 100000 > 100000
      Hora del Est.(días)31030Para negociar

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      Pedido mínimo: 50000
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

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