Fuente de alimentación MOSFET, 10N60 ran, 20N60 30N60 40N60 50N60 60N60 60 To-247 600V, más modelos disponibles

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Shenzhen Ming Jie Microelectronics Co., Ltd.3 yrs

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

10N60 20N60 30N60 40N60 50N60 60N60

Tipo

Transistores

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Descripción

Transistores del Mosfet

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

d/c

2SC1815

Uso

Placa de circuito aparato eléctrico

Tipo de Proveedor

Fabricante Original

Los medios disponibles

Otros

品名

Corriente de colector (Ic) (máx.)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

Corriente de colector de corte (Max)

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

Poder-Max

-Frecuencia de transición

Temperatura de funcionamiento

Tipo de Montaje

Resistencia Base (R1)

Resistencia-emisor Base (R2)

FET tipo

FET característica

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

Frecuencia

Corriente nominal (en amperios)

Ruido

Potencia de salida

-Tensión nominal

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

Vgs (Max)

Tipo IGBT de

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

De entrada

Termistor NTC

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

Corriente de drenaje (Id).

-Tensión de corte (VGS) @ Id

Resistencia-On (RDS)

Tensión

Tensión de salida-salida

-Tensión Offset (Vt)

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

Corriente de Valle Iv)

Corriente de pico

Aplicaciones

Embalaje y entrega

Puerto

shenzhen

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Cantidad (piezas)	1 - 3000	> 3000
Hora del Est.(días)	14	Para negociar

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