Descripción
El HC4406A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar la carga y la operación bajas excelentes de la puerta del RDS (ENCENDIDO) con los voltajes de la puerta tan bajos como 2,5 V este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM
Tipo
MOSFET HC4406A SI2301 del P-canal
Temperatura de funcionamiento
-40-125 ℃
Serie
Transistor del Mosfet del poder
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 30V 11A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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Temperatura de funcionamiento
150 °C (TJ)
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Tipo de Transistor
MOSFET de potencia Modo de mejora de canal N
Nombre del producto
HC4406A
Mosfet del canal N
30V 11A
Formas de pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Garantía comercial
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio
24 horas en línea
Calidad
100% original 100% marca