Descripción
150W 28V 500MHz RF MOSFET transistor de RF
PAQUETE/cubierta
Metal + cerámica
Tipo
Transistor RF MOSFET RF
Temperatura de funcionamiento
De 65 a 150 °C
Serie
Dispositivos de 28V para frecuencias a 1 GHz
Tipo de Proveedor
ODM, Agencia, Minorista
品名
MRF275G 150W 28V 500MHz RF MOSFET RF transistor
Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
1-500MHz
Temperatura de funcionamiento
-65 to 150°C
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
65V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
26 A
Rds (Max) @ Id Vgs
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
135 pF
Corriente nominal (en amperios)
26 A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
± 40V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1 mA
Corriente de drenaje (Id).
26 A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
65V
Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Tipo de Transistor
MOSFET del RF