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      MOSFET en stock FDP18N50 Circuito integrado IC chip Soporte BOM

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      Shenzhen Xing Jin Wei Electronics Co., Ltd.1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      FDP18N50
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      ON
      Tipo de paquete
      TO220-3

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      Chip CI del circuito integrado FDP18N50
      Lugar del origen
      Standard
      PAQUETE/cubierta
      TO220-3
      Tipo
      MOSFET de potencia
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C(TJ)
      d/c
      23 +
      Uso
      Estándar
      Tipo de Proveedor
      Minorista, Otros
      Los medios disponibles
      Foto, Otros
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      1 canal N
      Stock
      4000
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