Ran2121193G 212121193 ranransistor m33P mmplifier 212121194 ranransistor 2121193 M2121194

No hay reseñas aún2 pedidos#19Los más populares en Transistores Para El Amplificador

Shenzhen Zhendongxin Electronic Technology Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad4 yrs

CN

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

MJL21193 MJL21194

Tipo

Transistor

Marca

Original

Tipo de paquete

-

Otros atributos

Tipo de montaje

Through Hole

Descripción

Power Mosfet 100V 180A

Lugar del origen

Original

PAQUETE/cubierta

TO-264-3, TO-264AA

d/c

Newest

Uso

-

Referencia cruzada

-

品名

-

Corriente de colector (Ic) (máx.)

16A

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

250V

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

4V @ 3.2A 16A

Corriente de colector de corte (Max)

-

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

25 @ 8A 5V

Poder-Max

200W

-Frecuencia de transición

4MHz

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de Montaje

A través del orificio

Resistencia Base (R1)

-

Resistencia-emisor Base (R2)

-

FET tipo

-

FET característica

-

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

-

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

-

Rds (Max) @ Id Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

-

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

-

Frecuencia

-

Corriente nominal (en amperios)

-

Ruido

-

Potencia de salida

-

-Tensión nominal

-

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

-

Vgs (Max)

-

Tipo IGBT de

-

Configuración

-

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

-

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

-

De entrada

-

Termistor NTC

-

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

-

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

-

Corriente de drenaje (Id).

-

-Tensión de corte (VGS) @ Id

-

Resistencia-On (RDS)

-

Tensión

-

Tensión de salida-salida

-

-Tensión Offset (Vt)

-

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

-

Corriente de Valle Iv)

-

Corriente de pico

-

Aplicaciones

-

D/C

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