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En stock Transistor de alta velocidad de bajo voltaje MOSFET 100V componente electrónico TK100E10N1

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Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.8 yrsCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
TK100E10N1
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
-

Otros atributos

Tipo de montaje
-, -
Descripción
TK100E10N1
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
-
Tipo
-, TRANSISTOR
Temperatura de funcionamiento
-, -Estándar
Serie
-, -Estándar
d/c
Más reciente
Uso
-
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Agencia, Minorista, Otros
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
品名
Original
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
--
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
--
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
--
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
--
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
--
Tensión
-
Tensión de salida-salida
--
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
Tipo de Transistor
-
Nombre del producto
TK100E10N1
Polaridad del transistor:
Canal N
Número de canales:
1 canal
Vds-BreakdownVoltage DE LA Drenador-Fuente:
100 V
Peso de unidad:
0,068784 oz
Altura:
15,1mm
Longitud:
10,16mm
Anchura:
4,45mm
Paquete/caso:
TO-220-3
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