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      MOSFET de potencia IRLL110TRPBF (óxido de metal) 1 canal N 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta) 3,1 W (Tc) Montaje en superficie SOT-223 Transistores FET

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRLL110TRPBF
      Tipo
      Transistor
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Surface Mount
      Descripción
      MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      TO-261-4 TO-261AA
      Tipo
      1 N-Channel
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Serie
      HEXFET
      d/c
      newest
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      IRLL110PBFDKR
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
      品名
      Transistor
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      same as original
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      original standard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      same as original
      Corriente de colector de corte (Max)
      original standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      same as original
      Poder-Max
      2W (Ta) 3.1W (Tc)
      -Frecuencia de transición
      original standard
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      same as original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      original standard
      FET tipo
      N-Channel
      FET característica
      same as original
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      100 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      1.5A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      540mOhm @ 900mA 5V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      6.1 nC @ 5 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      1330pF @ 30V
      Frecuencia
      original standard
      Corriente nominal (en amperios)
      same as original
      Ruido
      original standard
      Potencia de salida
      2W (Ta)3.1W (Tc)
      -Tensión nominal
      original standard
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      same as original
      Vgs (Max)
      same as original
      Tipo IGBT de
      same as original
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      same as original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      original standard
      De entrada
      same as original
      Termistor NTC
      original standard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      same as original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      original standard
      Corriente de drenaje (Id).
      same as original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      original standard
      Resistencia-On (RDS)
      same as original
      Tensión
      original standard
      Tensión de salida-salida
      same as original
      -Tensión Offset (Vt)
      original standard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      same as original
      Corriente de Valle Iv)
      original standard
      Corriente de pico
      same as original
      Aplicaciones
      General Purpose
      Tipo de Transistor
      1 N-Channel
      SPQ
      2.5k/reel
      Number of Elements per Chip
      2
      PCB changed
      3
      Pin Count
      4
      Lead Shape
      Gull-wing
      Unit Weight:
      0.008818 oz
      Technology
      MOSFET (Metal Oxide)
      Channel Mode
      Enhancement
      Rise Time:
      47 ns
      Fall Time:
      18 ns

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Cantidad (piezas)1 - 2500 > 2500
      Hora del Est.(días)15Para negociar
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