Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
Transistor bipolar aislado de la puerta
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
Serie
IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.)
N/A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
-Frecuencia de transición
N/A
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
N/A
Corriente nominal (en amperios)
N/A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
N/A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
N/A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
N/A
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1-2,5 V
Corriente de drenaje (Id).
N/A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
20V
Tensión de salida-salida
N/A
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
N/A
Corriente de Valle Iv)
N/A
Aplicaciones
PROPÓSITO GENERAL
Tipo de Transistor
Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal