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      DBA200UA60 Transistores Mosfet Diodos IGBT Power MODULE DBA100UA40 DBA200UA40 DBA100UA60

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      Shenzhen Antech Century Technology Co., Ltd.8 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      DBA200UA60
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      ORIGINAL
      Tipo de paquete
      MÓDULO IGBT

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      -
      Descripción
      MÓDULO IGBT
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      MÓDULO IGBT
      Tipo
      MÓDULO IGBT
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      Serie
      DBA200UA60
      d/c
      NUEVO
      Uso
      Controlador MOSFET
      Tipo de Proveedor
      Minorista, Otros
      Referencia cruzada
      -
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      MÓDULO IGBT
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      120A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      600V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      N/A
      Corriente de colector de corte (Max)
      N/A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      N/A
      Poder-Max
      600W
      -Frecuencia de transición
      N/A
      Resistencia Base (R1)
      N/A
      Resistencia-emisor Base (R2)
      N/A
      FET tipo
      N/A
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      N/A
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      N/A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      N/A
      Vgs (th) (Max) @ Id
      N/A
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      N/A
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      N/A
      Frecuencia
      N/A
      Corriente nominal (en amperios)
      N/A
      Ruido
      N/A
      Potencia de salida
      N/A
      -Tensión nominal
      N/A
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      N/A
      Vgs (Max)
      N/A
      Tipo IGBT de
      Parada de campo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      2,5 V @ 15V, 60A
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      N/A
      De entrada
      N/A
      Termistor NTC
      N/A
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      N/A
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      N/A
      Corriente de drenaje (Id).
      N/A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      N/A
      Resistencia-On (RDS)
      N/A
      Tensión
      N/A
      Tensión de salida-salida
      N/A
      -Tensión Offset (Vt)
      N/A
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      N/A
      Corriente de Valle Iv)
      N/A
      Corriente de pico
      N/A
      Aplicaciones
      N/A

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      Unidades de venta:
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      Peso bruto único:
      kg
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