Descripción
D1005UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
PAQUETE/cubierta
metal + ceramic
Tipo
RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
Temperatura de funcionamiento
-65 to 150°C
Serie
28V devices for frequencies to 1 GHz
Tipo de Proveedor
ODM, Agencia, Minorista
品名
D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET
Corriente de colector (Ic) (máx.)
standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
standard
Corriente de colector de corte (Max)
standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
standard
-Frecuencia de transición
1-175MHz
Temperatura de funcionamiento
-65 to 150°C
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
standard
Resistencia-emisor Base (R2)
standard
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
70V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20A
Rds (Max) @ Id Vgs
standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
standard
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
240 pF
Corriente nominal (en amperios)
20A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
±20V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
2 mA
Corriente de drenaje (Id).
20A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
70V
Resistencia-On (RDS)
standard
Tensión de salida-salida
standard
-Tensión Offset (Vt)
standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
standard
Corriente de Valle Iv)
standard
Corriente de pico
standard
Tipo de Transistor
RF MOSFET