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      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      D1001UK
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      standard
      Descripción
      D1001UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      metal + ceramic
      Tipo
      RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Temperatura de funcionamiento
      -65 to 150°C
      Serie
      28V devices for frequencies to 1 GHz
      d/c
      23+
      Uso
      Alta frecuencia
      Tipo de Proveedor
      ODM, Agencia, Minorista
      品名
      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      standard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      standard
      Corriente de colector de corte (Max)
      standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      standard
      Poder-Max
      20W
      -Frecuencia de transición
      1-175MHz
      Temperatura de funcionamiento
      -65 to 150°C
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      standard
      Resistencia-emisor Base (R2)
      standard
      FET tipo
      VDMOS
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      70V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      5A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      7V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      standard
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      60 pF
      Frecuencia
      1-175MHz
      Corriente nominal (en amperios)
      5A
      Ruido
      standard
      Potencia de salida
      20W
      -Tensión nominal
      28V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      standard
      Vgs (Max)
      7V
      Tipo IGBT de
      standard
      Configuración
      standard
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      standard
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      standard
      De entrada
      standard
      Termistor NTC
      standard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      ±20V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      1 mA
      Corriente de drenaje (Id).
      5A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      70V
      Resistencia-On (RDS)
      standard
      Tensión
      standard
      Tensión de salida-salida
      standard
      -Tensión Offset (Vt)
      standard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      standard
      Corriente de Valle Iv)
      standard
      Corriente de pico
      standard
      Aplicaciones
      standard
      Tipo de Transistor
      RF MOSFET

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      15X10X6 cm
      Peso bruto único:
      0.400 kg
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1011 - 100 > 100
      Hora del Est.(días)37Para negociar

      Personalizacion

      Logotipo personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Personalización gráfica
      Pedido mínimo: 1000
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

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      1 - 49 piezas
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      EUR 14.76

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