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Transistor MOSFET de diodo CRST060N10N, 100V, 120A a-220, triodo

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
CRST060N10N
Tipo
Otros componentes electrónicos
Marca
YMX
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje
Comprar componentes electrónicos
Descripción
Otros componentes electrónicos
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
1
Uso
Micrófono
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Agencia, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
品名
MOS
Corriente de colector (Ic) (máx.)
1
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
1
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
1
Corriente de colector de corte (Max)
1
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
1
Poder-Max
1
-Frecuencia de transición
1
Resistencia Base (R1)
1
Resistencia-emisor Base (R2)
1
FET tipo
1
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1
Rds (Max) @ Id Vgs
1
Vgs (th) (Max) @ Id
1
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
1
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1
Frecuencia
1
Corriente nominal (en amperios)
1
Ruido
1
Potencia de salida
1
-Tensión nominal
1
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1
Vgs (Max)
1
Tipo IGBT de
1
Configuración
Solo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
1
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
1
De entrada
1
Termistor NTC
1
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
1
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1
Corriente de drenaje (Id).
1
-Tensión de corte (VGS) @ Id
1
Resistencia-On (RDS)
1
Tensión
1
Tensión de salida-salida
1
-Tensión Offset (Vt)
1
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
1
Corriente de Valle Iv)
1
Corriente de pico
1
Aplicaciones
1

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
0.01X0.01X0.01 cm
Peso bruto único:
0.001 kg

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