BUTW92 Bipolar Single BJT NPN 250V 180W 60A NPN Transistores de potencia Chip BUTW92

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad3 yrs

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

BUTW92

Tipo

Original

Marca

original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje

A través del agujero

Descripción

NPN

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

Tipo

Transistor bipolar

Temperatura de funcionamiento

-65 ℃ ~ 150 ℃

Serie

IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896

d/c

Más reciente

Uso

Controlador MOSFET

Tipo de Proveedor

Fabricante Original, ODM, Agencia

Referencia cruzada

N/A

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD

品名

Original

Corriente de colector (Ic) (máx.)

N/A

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

Estándar

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

N/A

Corriente de colector de corte (Max)

N/A

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

N/A

Poder-Max

N/A

-Frecuencia de transición

N/A

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Tipo de Montaje

A través del orificio

Resistencia Base (R1)

N/A

Resistencia-emisor Base (R2)

N/A

FET tipo

N/A

FET característica

N/A

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

30V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

80A

Rds (Max) @ Id Vgs

Estándar

Vgs (th) (Max) @ Id

Estándar

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

Estándar

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

N/A

Frecuencia

N/A

Corriente nominal (en amperios)

N/A

Ruido

N/A

Potencia de salida

N/A

-Tensión nominal

N/A

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

N/A

Vgs (Max)

N/A

Tipo IGBT de

N/A

Configuración

N/A

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

N/A

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

N/A

De entrada

N/A

Termistor NTC

N/A

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

N/A

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

1-2,5 V

Corriente de drenaje (Id).

N/A

-Tensión de corte (VGS) @ Id

20V

Resistencia-On (RDS)

N/A

Tensión

N/A

Tensión de salida-salida

N/A

-Tensión Offset (Vt)

N/A

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

N/A

Corriente de Valle Iv)

N/A

Corriente de pico

N/A

Aplicaciones

PROPÓSITO GENERAL

Tipo de Transistor

Transistor de Unión bipolar

Embalaje y entrega

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

2X2X2 cm

Peso bruto único:

0.001 kg

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
Hora del Est.(días)	3	5	Para negociar

Personalizacion

Original packing

Pedido mínimo: 1000

Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

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100 - 999 piezas

$1.56

>= 1000 piezas

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