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MOSFET AO4264E (óxido metálico), transistores de triple FUENTE DE DRENAJE cuádruple único, FET, mejora de FET individuales, 60V 13.5A 8SO

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
AO4264E
Tipo
Transistor
Marca
Original Brand
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
Tipo
1 N-Channel
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
AlphaSGT
d/c
newest
Uso
Propósito General
Tipo de Proveedor
Minorista
Referencia cruzada
5202-AO4264ETR
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
品名
Transistor
Corriente de colector (Ic) (máx.)
same as original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
original standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
same as original
Corriente de colector de corte (Max)
original standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
same as original
Poder-Max
3.1W (Ta)
-Frecuencia de transición
original standard
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
same as original
Resistencia-emisor Base (R2)
original standard
FET tipo
N-Channel
FET característica
same as original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
9.8mOhm @ 13.5A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1100 pF @ 30 V
Frecuencia
original standard
Corriente nominal (en amperios)
same as original
Ruido
original standard
Potencia de salida
3.1W (Ta)
-Tensión nominal
original standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
same as original
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT de
same as original
Configuración
Single Quad Drain Triple Source
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
same as original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
original standard
De entrada
same as original
Termistor NTC
original standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
same as original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Corriente de drenaje (Id).
same as original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
original standard
Resistencia-On (RDS)
same as original
Tensión
original standard
Tensión de salida-salida
same as original
-Tensión Offset (Vt)
original standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
same as original
Corriente de Valle Iv)
original standard
Corriente de pico
same as original
Aplicaciones
General Purpose
Tipo de Transistor
1 N-Channel
SPQ
3k/r
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Channel Mode
Enhancement
Maximum Continuous Drain Current (A)
13.5
Number of Elements per Chip
1
Lead Shape
Gull-wing
PCB changed
8
Pin Count
8
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
19X19X10 cm
Peso bruto único:
1.000 kg

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Cantidad (piezas)1 - 3000 > 3000
Hora del Est.(días)15Para negociar
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