Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Proveedor
Minorista
Referencia cruzada
5202-AO4264ETR
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
Corriente de colector (Ic) (máx.)
same as original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
original standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
same as original
Corriente de colector de corte (Max)
original standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
same as original
-Frecuencia de transición
original standard
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
same as original
Resistencia-emisor Base (R2)
original standard
FET característica
same as original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
9.8mOhm @ 13.5A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1100 pF @ 30 V
Frecuencia
original standard
Corriente nominal (en amperios)
same as original
Potencia de salida
3.1W (Ta)
-Tensión nominal
original standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
same as original
Tipo IGBT de
same as original
Configuración
Single Quad Drain Triple Source
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
same as original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
original standard
De entrada
same as original
Termistor NTC
original standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
same as original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Corriente de drenaje (Id).
same as original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
original standard
Resistencia-On (RDS)
same as original
Tensión de salida-salida
same as original
-Tensión Offset (Vt)
original standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
same as original
Corriente de Valle Iv)
original standard
Corriente de pico
same as original
Aplicaciones
General Purpose
Tipo de Transistor
1 N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Maximum Continuous Drain Current (A)
13.5
Number of Elements per Chip
1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant