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      60V N-Channel Power MOSFET Chip Bair Die para alto rendimiento SMPS

      No hay reseñas aún
      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      AKSW02N06T01
      Tipo
      OBLIGA DEL MOSFET
      Marca
      Aiko
      Tipo de paquete
      Muere Bare

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Insertar
      Descripción
      Canal N, 100% avalancha probado, Chapado de plomo libre de Pb, Cumple con RoHS, Die tamaño sin 60um línea de escritura
      Lugar del origen
      China
      PAQUETE/cubierta
      Desnudo muere
      Tipo
      Oblea MOSFET
      Temperatura de funcionamiento
      -40 ℃ ~ + 175 ℃
      Uso
      Conmutación dura y circuito de alta velocidad
      Tipo de Proveedor
      ODM
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      OBLIGA DEL MOSFET SGT
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      110A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      66V
      Temperatura de funcionamiento
      -40℃~+175℃
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      60V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      110A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      3,0 miohm
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2,4 V
      Corriente nominal (en amperios)
      110A
      -Tensión nominal
      60V
      Vgs (Max)
      2,4 V
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      2720pF
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      66V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      0.38uA
      Corriente de drenaje (Id).
      110A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      10V
      Resistencia-On (RDS)
      <2miohm
      Tensión
      60V
      Corriente de pico
      110A
      Aplicaciones
      Conmutación dura y circuito de alta velocidad
      Tipo de Transistor
      Oblea MOSFET
      Tamaño de la oblea
      12 pulgadas
      Grosor de la oblea
      4.3mil
      Gross Muere
      Por 5061
      Línea Scribe
      60um
      V(BR)DSS
      66V
      VGS (TH)
      1,52 V
      IGSS
      4,6 ± 100nA
      Aplicación 1
      SMPS de alto rendimiento
      Aplicación 2
      Conmutación dura y circuito de alta velocidad
      Aplicación 3
      Convertidor DC/DC

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Plásticos espumados/bolsas antiestáticas/cartón
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 100101 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)2030Para negociar

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      Pedido mínimo: 1000
      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Personalización gráfica
      Pedido mínimo: 1000
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      THB 4,429.53
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