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      Transistor epitaxial de silicio 2SC1815-GR NPN/amplificador de señal pequeño, amplificador de audio, circuitos de conmutación

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      WEN SHEUAN CO., LTD.1 yr
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      2SC1815-GR
      Tipo
      Transistor Bipolar
      Marca
      Toshiba
      Tipo de paquete
      TO-92

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      Transistor epitaxial del silicio de NPN
      Lugar del origen
      Japan
      PAQUETE/cubierta
      TO-92
      Serie
      Transistor
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Agencia
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Transistor epitaxial del silicio de NPN
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      230V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      3V @ 800mA, 8A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      55 @ 1A, 5V
      Temperatura de funcionamiento
      -55 ℃ ~ 125 ℃
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Marca
      Toshiba
      Colector-base Capacitancia-Max
      3,5 pF
      Colector Current-Max (IC)
      0,15 A
      Colector-emisor Voltaje-Max
      50V
      Ganancia actual de DC-Min (hFE)
      200
      Disipación de potencia-Max (Abs)
      0,4 W
      Frecuencia de transición-Nom (fT)
      80,0 MHz
      VCEsat-Max
      0,25 V
      Ollector Corriente
      150mA

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      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      0.3X0.26X0.11 cm
      Peso bruto único:
      0.001 kg
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