Sustrato de cristal único GaN independiente no dopado de plano C de 2-4 pulgadas para Dispositivo de potencia

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

China

Marca

GaNova

Número de Modelo

JDCD01-001-019

Tipo

GaN oblea

Product name

2inch n-type free-standing GaN single crystal substrate

Dimensions

Dimensions 50.8 ± 1 mm

Thickness

350 ± 25 μm

Orientation flat

(1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm

Secondary orientation flat

(11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm

TTV

≤ 15 μm

BOW

≤ 20 μm

Ga face surface roughness

< 0.2 nm (polished) or < 0.3 nm

Package

Packaged in a cleanroom in single wafer container

Size

Customizable

Embalaje y entrega

Paquete

Caja de cartón

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

30X20X20 cm

Peso bruto único:

0.010 kg

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Cantidad (piezas)	1 - 1	2 - 15	> 15
Hora del Est.(días)	15	50	Para negociar

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