| WF*2N60 | ||||
| Minuto | Típico | Máximo | ||
| Identificación máxima (25C), A | 2.0 | |||
| BVdss, V | 600 | |||
| Rds (encendido) (Vgs=10V), ohmio | 4.0 | 5.0 | ||
| Vgs (th), V | 2.0 | 4.0 | ||
| CISS, picofaradio | 320 | |||
| Qg, nC | 10 | |||
| Uso | Cargador | |||
| Tipo del paquete | TO-251 | TO-252 | TO-220 | TO-220F |
| nombre de producto exacto | WFU2N60 | WFD2N60 | WFP2N60 | WFF2N60 |
Características
Capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
Avalancha 100% probada
Gama de temperaturas máxima de ensambladura (150°C)
Descripción general
Este MOSFET de la energía se produce usando Wisdoms avanzado
raya planar, tecnología de DMOS. Esta última tecnología ha sido
diseñó especialmente reducir al mínimo resistencia del en-estado, tienen un colmo
características rugosas de la avalancha. Estos dispositivos están bien adaptados
para las fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta, factor de energía activa
corrección, lastres electrónicos de la lámpara basados en media topología del puente.
South Korea
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