| WFW28N60 | |||
| Minuto | Típico | Máximo | |
| Identificación máxima (25C), A | 28.0 | ||
| BVdss, V | 600 | ||
| Rds (encendido) (Vgs=10V), ohmio | 0.18 | 0.22 | |
| Vgs (th), V | 2.0 | 4.0 | |
| CISS, picofaradio | 4200 | ||
| Qg, nC | 120 | ||
| Uso | SMPS | ||
| Tipo del paquete | TO-247 | ||
Características
Capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
Avalancha 100% probada
Gama de temperaturas máxima de ensambladura (150°C)
Descripción general
Este MOSFET de la energía se produce usando Wisdoms avanzado
raya planar, tecnología de DMOS. Esta última tecnología ha sido
diseñó especialmente reducir al mínimo resistencia del en-estado, tienen un colmo
características rugosas de la avalancha. Estos dispositivos están bien adaptados
para las fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta.
South Korea
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