Especificaciones del dispositivo de semiconductor de la energía (dispositivos de semiconductor)
Número de modelo | AMT-40/12E |
corriente media del En-estado | 40 A |
Invierta el voltaje máximo repetido | 1200Vac |
Dimensiones externas | 90x20x35 milímetro |
voltaje máximo del En-estado | 1.50 V |
corriente máxima del En-estado | 120 A |
Corriente del disparador de la puerta | 100 mA |
Voltaje de disparador de la puerta (v) | 2.5 |
dV/dt crítico off-state (V/us) | 800 |
Temperatura clasificada máxima del nudo () | 125 |
Corriente de la subsistencia (mA) | 100 |
Voltaje aislador | 2500Vac |
China