Paquete 16Kbit De La INMERSIÓN Nanovoltio-SRAM Fabricantes & Suministradores en Alibaba.com

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Paquete 16Kbit de la INMERSIÓN Nanovoltio-SRAM

  • Lugar del origen: Korea
  • Número de modelo: HMN28D
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Caraterísticas & Especificaciones de Paquete 16Kbit de la INMERSIÓN Nanovoltio-SRAM

Módulo permanente 16Kbit (2K x de 8 bits), paquete de la INMERSIÓN, 24pin, de SRAM diseño 5V 
 
 General  Discription del ☞. 
        Los HMN28D son 16.384 el pedacito, completamente parásitos atmosféricos, SRAM permanentes organizados como 2.048 palabras por 8 pedacitos. Cada NVSRAM tiene un trazado de circuito autónomo de la fuente y del control de energía del litio, que supervisa constantemente Vcc para una condición de la hacia fuera-de-tolerancia. Cuando ocurre tal condición, la fuente de energía del litio se enciende automáticamente y escribe la protección incondicional se permite prevenir la corrupción de datos. Los dispositivos de HMN28D se pueden utilizar en lugar de 2K existente x 8 SRAM directamente conforme a el octeto popular de par en par 24 estándares de la INMERSIÓN del perno. No hay límite en el número de escribe los ciclos que pueden ser ejecutados y no se requiere ningún trazado de circuito de la ayuda adicional para la interconexión del microprocesador. Las aplicaciones de HMN28D extremadamente - la corriente bajo espera Cmos SRAM, juntada con las pequeñas células de la moneda del litio para proporcionar falta de volatilidad sin tiempos largos del escribir-ciclo y las limitaciones del escribir-ciclo se asoció a EEPROM.
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Paquete 16Kbit de la INMERSIÓN Nanovoltio-SRAM
Módulo permanente 16Kbit (2K x de 8 bits), paquete de la INMERSIÓN, 24pin, de SRAM diseño 5V ☞ D general

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