| receptor óptico: transmisor óptico |
Características de funcionamiento
n Con el convertidor fotoeléctrico del PIN y la alta respuesta.
n Diseño de circuito de la optimización, producción de proceso de SMT, recorrido de la señal de la optimización, transmisión fotoeléctrica de la señal de la fluidez.
n Con el RF especializado atenúe el IC, buen linear del RF e igualdad y alta exactitud.
n El GaAs amplifica, salida doble de la energía, alto aumento y distorsión baja.
n El estado de trabajo del control del microprocesador, LED demuestra todos los parámetros, operación de la conveniencia y alta estabilidad.
n Funcionamiento del AGC de la optimización, cuando la gama de la energía de entrada es 92dBm, la palanca de salida, subsistencia de CTB y del CSO constantemente.
n Interfaz de comunicaciones de reserva de datos, es conveniente conectar con el respondedor de la dirección de la red, conectando con el sistema de gestión de la red.
Parámetro técnico
Artículo | Unidad | Parámetro técnico | |||
Parámetro óptico | |||||
Reciba la energía óptica | dBm | -9 ~ +2 | |||
Pérdida de vuelta | DB | >45 | |||
Longitud de onda óptica | nanómetro | ~ 1100 1600 | |||
Tipo del conectador |
| FC/APCSC/APC | |||
Tipo de la fibra |
| Solo modo | |||
Funcionamiento del circuito | |||||
C/N | DB | entrada del ≥ 51-2dBm | |||
C/CTB | DB | ≥ 65 | dBμV del nivel de salida 108 6dB equilibrado | ||
C/CSO | DB | ≥ 60 | |||
Funcionamiento del RF | |||||
Gama de frecuencia | Megaciclo | 45 ~862 | |||
Llanura en venda | DB | ±0.75 | |||
Nivel de salida clasificada | dBμV | ≥ 108 | |||
Nivel de salida máxima | dBμV | ≥112 | |||
Pérdida de vuelta de la salida | DB | ≥14 | |||
Impedancia de la salida | Ω | 75 | |||
Gama del control electrónico EQ | DB | 010 | |||
Gama del ATT del control electrónico | dBμV | 020 | |||
Vuelva transmiten parametrización para la optimización del tratamiento | |||||
Parámetro óptico | |||||
Óptico transmita la longitud de onda | nanómetro | 1310±10 | |||
Haga salir la energía óptica | dBm | 1 ~ 5 | |||
Tipo del conectador |
| FC/APCSC/APC | |||
Parámetro del RF | |||||
Gama de frecuencia | Megaciclo | 5 ~ 65 o según el requisito del usuario | |||
Llanura en venda | DB | ±1 | |||
Nivel de introducción de datos | dBμV | 85 ~ 90 | |||
Impedancia de la salida | Ω | 75 | |||
Parámetro general | |||||
Voltaje de fuente | V | AAC150~265VBAC35~90V | |||
Temperatura de funcionamiento | -40~60 | ||||
Temperatura de almacenaje | -40~65 | ||||
Higrometría | % | El 95% máximo ninguna condensación | |||
Consumición | VA | ≤ 30 | |||
Dimensión | milímetro | 240L 240W 150H | |||
Nota: El parámetro del RF delantero se prueba bajo condición de usar el módulo de energía doble del DB del GaAs 25 en la etapa pasada, si usted utiliza el otro módulo, el parámetro será levemente diferente.
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