CDHC ofrece una variedad de fotodiodos estándar y de encargo del PIN adentro A y la fibra juntada
paquetes. Nuestros dispositivos del silicio cubren el espectro óptico a partir del 400 a 1100nm;
InGaAs es óptimo a partir de 1100 a 1650nm. Todos los dispositivos están disponibles adentro PARA los paquetes,
la fibra pigtailed los paquetes coaxiales o en paquetes del receptáculo del estilo del conectador.
Fotodetectores del PIN de InGaAs
Características: Corriente oscura de poco ruido, baja Capacitancia terminal baja El estándar al paquete, fibra pigtailed los paquetes coaxiales o en los paquetes del receptáculo del estilo del conectador disponibles | |
Usos: Fotometría de NIR (cerca de infrarrojo) Comunicación óptica |
Grados máximos absolutos
Parámetro |
| Símbolo |
| Valor |
| Unidad | |||||
Temperatura de funcionamiento |
| Tapa |
| -40~+85 |
| °C | |||||
Temperatura de almacenaje |
| Tstg |
| -40 ~ +125 |
| °C | |||||
Voltaje reverso |
| Vr |
| 30 |
| V | |||||
Temperatura que suelda del plomo (sec 10.) |
| Tis |
| 260 |
| °C | |||||
Especificaciones | Condición de prueba | GCPD-1P0075 | GCPD-1P03 | Unidad | |||||||
Área delicada | - | E75 | E300 | μm | |||||||
Responsabilidad | =1310nm | ≥0.85 | ≥0.85 | A/W | |||||||
=1550nm | ≥0.90 | ≥0.90 | |||||||||
Espectro de la respuesta | - | 850~1700 | 850~1700 | nanómetro | |||||||
Corriente oscura (típica) | Vr=5V | ≤0.6 | ≤1 | nA | |||||||
Capacitancia | Vr=5V | 0.4 | 5.0 | Picofaradio | |||||||
Tiempo de la subida/caída | Vr=5V | 0.3 | 1 | ns | |||||||
Anchura de banda | 3dB | 1.5 | 0.5 | Gigahertz | |||||||
Energía de la saturación (típica) | Vr=5V | ≥2 | 2 | mW | |||||||
Área delicada | - | E500 | E1000 | μm | |||||||
Responsabilidad | =1310nm | ≥0.80 | ≥0.80 | A/W | |||||||
China